高压理想二极管控制器是驱动 N 沟道 MOSFET 的一种低损耗，反极性保护芯片。广泛应用车用电源和通信基站电源。特点：· 宽电压输入3.0V-70V ·-33V 反向电压额定值 ·2.3A峰值栅极关断电流 ·快速响应反向电流阻断 小于0.75μs
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